Tabla de contenido:
- Definición: ¿Qué significa la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM)?
- Techopedia explica la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM)
Definición: ¿Qué significa la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM)?
La memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) es un tipo de memoria de acceso aleatorio utilizada en dispositivos informáticos (principalmente PC). DRAM almacena cada bit de datos en un componente electrónico pasivo separado que está dentro de una placa de circuito integrado. Cada componente eléctrico tiene dos estados de valor en un bit llamado 0 y 1. Este cautivador debe actualizarse a menudo, de lo contrario, la información se desvanece. La DRAM tiene un condensador y un transistor por bit en lugar de la memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) que requiere 6 transistores. Los condensadores y transistores que se utilizan son excepcionalmente pequeños. Hay millones de condensadores y transistores que caben en un solo chip de memoria.
Techopedia explica la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM)
DRAM es memoria dinámica y SRAM es memoria estática. Los chips DRAM en una placa de circuito deben actualizarse cada pocos milisegundos. Esto se hace reescribiendo los datos en el módulo. Los chips que necesitan actualización son memoria volátil. DRAM accede a la memoria directamente, mantiene la memoria durante un período corto y pierde sus datos cuando se corta la alimentación. SRAM es memoria volátil que es estática y no necesita actualización. Debido a que SRAM es mucho más rápido, se usa en registros y memoria caché. SRAM guarda datos y funciona a velocidades más altas que DRAM. Aunque SRAM es más rápido, DRAM se usa con más frecuencia en la placa base porque es mucho más barato de fabricar.
Los tres tipos principales de placas de circuito que contienen chips de memoria son los módulos de memoria en línea duales (DIMM), los módulos de memoria en línea individuales (SIMM) y los módulos de memoria en línea Rambus (RIMM). Hoy en día, la mayoría de las placas base usan DIMM. La frecuencia de actualización del módulo para DRAM es cada pocos milisegundos (1/1000 de segundo). Esta actualización la realiza el controlador de memoria ubicado en el chipset de la placa base. Debido a que la lógica de actualización se utiliza para la actualización automática, una placa de circuito DRAM es bastante compleja. Hay diferentes sistemas utilizados para actualizar, pero todos los métodos requieren un contador para realizar un seguimiento de la fila que debe actualizarse a continuación. Las celdas DRAM están organizadas en una colección cuadrada de capacitores, típicamente de 1024 por 1024 celdas. Cuando una celda está en el estado de "lectura", se lee una fila completa y la actualización se vuelve a escribir. Cuando está en un estado de "escritura", se "lee" una fila completa, se cambia un valor y luego se reescribe toda la fila. Dependiendo del sistema, hay chips DRAM que contienen un contador, mientras que otros sistemas dependen de una lógica de actualización periférica que incluye un contador. El tiempo de acceso de la DRAM es de alrededor de 60 nanosegundos, mientras que la SRAM puede ser tan baja como 10 nanosegundos. Además, el tiempo de ciclo de DRAM es mucho más largo que el de SRAM. El tiempo de ciclo de SRAM es más corto porque no necesita detenerse entre accesos y actualizaciones.
