Tabla de contenido:
- Definición: ¿Qué significa la memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FRAM)?
- Techopedia explica la memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio (FRAM)
Definición: ¿Qué significa la memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FRAM)?
La memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio (FRAM, F-RAM o FeRAM) es una forma de memoria no volátil similar a la DRAM en arquitectura. Sin embargo, hace uso de una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica para lograr la no volatilidad. Considerada como una alternativa potencial para las tecnologías de memoria de acceso aleatorio no volátil, la memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio proporciona las mismas características que la memoria flash.
Techopedia explica la memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio (FRAM)
A pesar del nombre, la memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio en realidad no contiene hierro. Noramlly usa titanato de circonato de plomo, aunque a veces también se usan otros materiales. Aunque el desarrollo de RAM ferroeléctrica se remonta a los primeros días de la tecnología de semiconductores, los primeros dispositivos basados en RAM ferroeléctrica se produjeron alrededor de 1999. Una celda de memoria RAM ferroeléctrica se compone de una línea de bits y un condensador conectado a una placa. Los valores binarios 1 o 0 se almacenan en función de la orientación del dipolo dentro del condensador. La orientación del dipolo se puede configurar e invertir con la ayuda de voltaje.
En comparación con tecnologías más establecidas como flash y DRAM, la RAM ferroeléctrica no se usa mucho. La RAM ferroeléctrica a veces se integra en chips basados en CMOS para ayudar a las MCU a tener sus propias memorias ferroeléctricas. Esto ayuda a tener menos etapas para incorporar la memoria en las MCU, lo que resulta en ahorros de costos significativos. También brinda otra ventaja de tener un bajo consumo de energía en comparación con otras alternativas, lo que ayuda mucho a las MCU, donde el consumo de energía siempre ha sido una barrera.
Hay muchos beneficios asociados con la RAM ferroeléctrica. En comparación con el almacenamiento flash, tiene un menor consumo de energía y un rendimiento de escritura más rápido. En comparación con tecnologías similares, la RAM ferroeléctrica proporciona más ciclos de borrado de escritura. También hay una mayor fiabilidad de los datos con RAM ferroeléctrica.
Hay ciertos inconvenientes asociados con la RAM ferroeléctrica. Tiene capacidades de almacenamiento más bajas en comparación con los dispositivos flash y también es costoso. En comparación con DRAM y SRAM, la RAM ferroeléctrica almacena menos datos en el mismo espacio. Además, debido al destructivo proceso de lectura de la RAM ferroeléctrica, se requiere una arquitectura de escritura después de la lectura.
La RAM ferroeléctrica se utiliza en muchas aplicaciones, como instrumentación, equipos médicos y microcontroladores industriales.
