Tabla de contenido:
- Definición: ¿Qué significa el semiconductor de óxido metálico vertical (VMOS)?
- Techopedia explica el semiconductor vertical de óxido de metal (VMOS)
Definición: ¿Qué significa el semiconductor de óxido metálico vertical (VMOS)?
Un semiconductor de óxido de metal vertical (VMOS) es un tipo de transistor de semiconductor de óxido de metal (MOS), llamado así debido a la ranura en forma de V que se corta verticalmente en el sustrato para actuar como la puerta del transistor para permitir la entrega de un mayor cantidad de corriente proveniente de la fuente hacia el "drenaje" del dispositivo.
Un semiconductor de óxido metálico vertical también se conoce como MOS con ranura en V.
Techopedia explica el semiconductor vertical de óxido de metal (VMOS)
Un semiconductor vertical de óxido metálico se construye formando cuatro capas difusas diferentes en silicio y luego grabando una ranura en forma de V en el medio verticalmente a una profundidad controlada con precisión a través de las capas. El electrodo de compuerta se forma dentro de la ranura en forma de V depositando metal, generalmente nitruro de galio (GaN), sobre dióxido de silicio en la ranura.
VMOS se ha utilizado principalmente como un dispositivo de potencia de "espacio intermedio" hasta que se introdujeron mejores geometrías como el UMOS o el MOS de puerta de trinchera, lo que crea un campo eléctrico más bajo en la parte superior que luego conduce a voltajes máximos más altos de lo que es posible Transistores VMOS.
