Tabla de contenido:
- Definición: ¿Qué significa la memoria de acceso aleatorio de salida de datos extendida (EDO RAM)?
- Techopedia explica la memoria de acceso aleatorio de salida de datos extendida (RAM EDO)
Definición: ¿Qué significa la memoria de acceso aleatorio de salida de datos extendida (EDO RAM)?
La memoria de acceso aleatorio de datos extendidos (EDO RAM / DRAM) es un tipo temprano de chip de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) que fue diseñado para mejorar el rendimiento de la DRAM en modo de página rápida (DRAM FPM) que se utilizó en la década de 1990. Su característica principal fue que eliminó los tiempos de espera al permitir que comenzara un nuevo ciclo mientras conservaba el búfer de salida de datos del ciclo anterior activo, lo que permite un grado de canalización (superposición en la operación) que mejora el rendimiento.
Techopedia explica la memoria de acceso aleatorio de salida de datos extendida (RAM EDO)
La memoria de acceso aleatorio dinámico de datos extendidos se introdujo en 1994 y comenzó a reemplazar la DRAM en modo de página rápida en 1995 cuando Intel introdujo por primera vez el chipset 430FX que admite EDO DRAM. Antes de eso, EDO DRAM podía reemplazar FPM DRAM, pero si el controlador de memoria no estaba específicamente diseñado para EDO, entonces el rendimiento era el mismo que FPM.
EDO DRAM de ciclo único puede realizar una transacción de memoria completa en un solo ciclo de reloj; de lo contrario, puede hacerlo en dos ciclos en lugar de tres, una vez que se ha seleccionado la página. La capacidad del EDO le permitió reemplazar la lenta caché L2 de las PC en ese momento y redujo la enorme pérdida de rendimiento asociada con la caché L2, mientras que las PC eran más baratas de construir en general. Por lo tanto, un sistema que usaba EDO con caché L2 fue mucho más rápido en comparación con la combinación de caché FPM y L2, a la vez que era más económico de construir.
EDO fue calificado para una frecuencia de reloj máxima de 40 MHz, 64 bits de ancho de banda de bus, 320 MBps de ancho de banda máximo y funcionó a 5 voltios. Fue tangiblemente más rápido que la DRAM FPM anterior que tenía una velocidad de reloj máxima de 25 MHz y un ancho de banda máximo de 200 MBps. Sin embargo, fue reemplazado por la SDRAM más rápida a partir de 1996, después de solo dos años de uso importante.
