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Definición - ¿Qué significa Perfect RAM?
La RAM perfecta es un tipo de memoria de acceso aleatorio no volátil. Almacena datos cambiando el estado del material utilizado; el vidrio de calcogenuro cambia de estado cuando se somete al calor producido por el paso de una corriente eléctrica. A nivel microscópico, los datos cambian de un lado a otro entre dos estados: amorfo y cristalino.
Perfect RAM es una de varias tecnologías de memoria que compiten para reemplazar la memoria flash, que tiene varios problemas.
Este término también se conoce como PRAM, PCRAM, memoria unificada ovónica, RAM de calcogenuro, C-RAM y memoria de cambio de fase (PCM).
Techopedia explica RAM perfecta
En el estado amorfo (o fase desordenada), el material tiene una alta resistencia eléctrica. En el estado cristalino (o fase ordenada), tiene menos resistencia. Por lo tanto, la corriente eléctrica puede activarse y desactivarse, lo que representa estados digitales altos y bajos correspondientes a los valores 1 y 0 de un código binario. Investigaciones recientes han descubierto dos estados adicionales, duplicando efectivamente la capacidad de almacenamiento.
Los tiempos de escritura para una memoria flash son de aproximadamente un milisegundo para un bloque de datos, 100, 000 veces mayor que el tiempo de lectura típico de 10 nanosegundos (ns) para un byte que usa memoria estática de acceso aleatorio (SRAM). La RAM perfecta puede ofrecer un rendimiento mucho mayor cuando la escritura rápida es importante. La memoria flash se degrada con cada ráfaga de voltaje. Los dispositivos RAM perfectos también se degradan, pero a un ritmo mucho más lento. Estos dispositivos pueden soportar unos 100 millones de ciclos de escritura. La vida útil perfecta de la RAM está limitada por la expansión térmica durante la programación, la migración de metales y mecanismos desconocidos.
Algunos de los desafíos para la tecnología RAM perfecta implican el requisito de alta densidad de corriente de programación (control preciso de la corriente), resistencia a largo plazo (resistencia sostenida a la corriente eléctrica) y deriva de voltaje umbral (control preciso del voltaje eléctrico), todo en el nivel microscópico Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics y Numonyx, entre otros, están investigando estos desafíos.
